ルネサスエレクトロニクス（本社：東京都江東区）は６月20日、GaN(窒化ガリウム)パワー半導体のグローバルリーダー、米トランスフォームの買収を同日完了したと発表した。買収金額は３億3,900万ドル（約537億円）。GaNやSiC(炭化ケイ素)は、従来のSi(シリコン)に比べ電力効率に優れ、小型化が可能なことから、次世代パワー半導体のキーテクノロジーとして期待されている。
GaNやSiCを使用した半導体製品は、EV（電気自動車）やデータセンターのサーバー、AI処理、再生可能エネルギー装置、産業用電力変換装置、急速充電・アダプターなどのコンシューマー機器等の需要の高まりを背景に、今後10年で急成長が見込まれている。